高真空多靶磁控濺射鍍膜系統(tǒng) JCP350
真空極限：極限真空優(yōu)于6.6×10-5Pa（設(shè)備空載抽真空24小時(shí)）；
抽速：（空載）從大氣抽至5.0×10-3Pa≤15min；濺射靶：2英寸磁控靶，2只；兩靶共焦濺射，另預(yù)留1只靶位；
真空極限：極限真空優(yōu)于6.6×10-5Pa（設(shè)備空載抽真空24小時(shí)）；
抽速：（空載）從大氣抽至5.0×10-3Pa≤15min；濺射靶：2英寸磁控靶，2只；兩靶共焦濺射，另預(yù)留1只靶位；
一、整機(jī)簡(jiǎn)述：
特點(diǎn)/用途
該設(shè)備主機(jī)與控制一體化設(shè)計(jì)，PLC觸摸屏控制，操控方便，結(jié)構(gòu)緊湊，占地??；設(shè)備廣泛應(yīng)用于高校、科研院所的教學(xué)、科研實(shí)驗(yàn)以及生產(chǎn)型企業(yè)前期探索性實(shí)驗(yàn)及開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品等，深受廣大用戶好評(píng)；
JCP350高真空多靶磁控濺射鍍膜機(jī)，可單靶獨(dú)立、多靶輪流和組合向心共濺射；各濺射靶及基片臺(tái)均配獨(dú)立擋板，保證鍍膜的工藝性（預(yù)濺射、多層膜、摻雜、防止交叉污染和干擾等）；設(shè)備樣品臺(tái)可加負(fù)偏壓對(duì)樣品進(jìn)行等離子清洗活化、輔助濺射功能。
該設(shè)備主要用來(lái)開(kāi)發(fā)納米級(jí)單層及多層的金屬導(dǎo)電膜（可選配強(qiáng)磁靶鍍磁性材料薄膜）、半導(dǎo)體膜以及陶瓷絕緣薄膜等。
二、設(shè)備主要技術(shù)參數(shù)：
1.真空腔室
φ350×H350mm，304優(yōu)質(zhì)不銹鋼真空腔室；
2.真空系統(tǒng)
復(fù)合分子泵+直聯(lián)旋片泵+高真空氣/電動(dòng)閥門高真空系統(tǒng)，數(shù)顯復(fù)合真空計(jì)；
3.真空極限
極限真空優(yōu)于6.6×10-5Pa（設(shè)備空載抽真空24小時(shí)）；
4.漏率
設(shè)備升壓率≤0.8Pa/h；
設(shè)備保壓：停泵12小時(shí)候后，真空≤10Pa；
5.抽速
（空載）從大氣抽至5.0×10-3Pa≤15min；
6.基片臺(tái)尺寸
Φ120mm范圍內(nèi)可裝卡各種規(guī)格基片；
7.基片臺(tái)旋轉(zhuǎn)與加熱
基片旋轉(zhuǎn)：0～20轉(zhuǎn)/分鐘；
加熱:室溫～500±1℃，可控可調(diào)，日本島電PID智能溫控閉環(huán)控溫；
8.濺射靶
2英寸磁控靶，2只；兩靶共焦濺射，另預(yù)留1只靶位；
兼容直流/射頻電源濺射；
標(biāo)配直流/射頻濺射各1臺(tái)；磁控靶配有氣動(dòng)擋板結(jié)構(gòu)；
9.工作方式
各靶可獨(dú)立/順次/共同工作，采用磁控靶從下向上濺射鍍膜；
10.膜厚不均勻性
≤±5%（基片臺(tái)Φ75mm范圍內(nèi)）；
11.控制方式
PLC+觸摸屏人機(jī)界面半自動(dòng)控制系統(tǒng)；
12.報(bào)警及保護(hù)
對(duì)泵、電極等缺水、過(guò)流過(guò)壓、斷路等異常情況進(jìn)行報(bào)警并執(zhí)行相應(yīng)保護(hù)措施；完善的邏輯程序互鎖保護(hù)系統(tǒng)；
13.占地
(主機(jī)）L1600mm×W800mm×H1920mm。
Products
研博產(chǎn)品中心
