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高真空多靶鍍膜系統(tǒng) JCPY500

磁控濺射鍍膜設(shè)備

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<wxwork-data data-type="ChatMessage" data-version="3.1.20.11441"></wxwork-data>真空濺射腔室：Ф500×H500mm； 濺射室：8.0×10-5Pa（空載，經(jīng)烘烤除氣后）； 工作方式：各靶可獨立/順次/共同工作，采用磁控靶從上向下濺射鍍膜； 脈沖偏壓：-1000V，1套；
高真空多靶磁控濺射鍍膜系統(tǒng) JCP500

磁控濺射鍍膜設(shè)備

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<wxwork-data data-type="ChatMessage" data-version="3.1.20.11441"></wxwork-data>真空腔室：Ф500×H420mm，304優(yōu)質(zhì)不銹鋼，前開門結(jié)構(gòu)； 真空極限：6.0×10-5Pa（設(shè)備空載抽真空24小時）； 漏率：設(shè)備升壓率≤0.8Pa/h； 抽速：(空載）從大氣抽至5.0×10-3Pa≤15min；
高真空多靶磁控濺射鍍膜系統(tǒng) JCP350

磁控濺射鍍膜設(shè)備

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<wxwork-data data-type="ChatMessage" data-version="3.1.20.11441"></wxwork-data>真空腔室：φ350×H350mm，304優(yōu)質(zhì)不銹鋼真空腔室； 真空極限：極限真空優(yōu)于6.6×10-5Pa（設(shè)備空載抽真空24小時）； 抽速：（空載）從大氣抽至5.0×10-3Pa≤15min；濺射靶：2英寸磁控靶，2只；兩靶共焦濺射，另預留1只靶位；
高真空磁控濺射鍍膜機 JCP200

磁控濺射鍍膜設(shè)備

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<wxwork-data data-type="ChatMessage" data-version="3.1.20.11441"></wxwork-data>真空腔室：Ф220×H300mm，不銹鋼上開蓋結(jié)構(gòu)； 真空極限：優(yōu)于8.0×10-5Pa（設(shè)備空載抽真空24小時）； 抽速：從大氣抽至6.0×10-3Pa≤15min； 漏率：設(shè)備升壓率≤0.8Pa/h；