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電子束鍍膜設(shè)備
真空腔室：腔室內(nèi)尺寸Φ500×600mm，不銹鋼腔室配水線；
極限真空：空載優(yōu)于6.0×10-5Pa（設(shè)備空載抽真空24小時）；
抽速：空載從大氣抽至6.0×10-4Pa≤30min；
漏率：設(shè)備升壓率≤0.8Pa/h；
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真空腔室：腔室內(nèi)尺寸Φ500×600mm，不銹鋼腔室配水線；
極限真空：空載優(yōu)于6.0×10-5Pa（設(shè)備空載抽真空24小時）；
抽速：空載從大氣抽至6.0×10-4Pa≤30min；
漏率：設(shè)備升壓率≤0.8Pa/h；
特點/用途：
TEMD500電子束鍍膜設(shè)備
TEMD500電子束鍍膜設(shè)備具有真空度高、抽速快、基片裝卸方便的特點。配備E型電子束蒸發(fā)源和2組電阻蒸發(fā)源、可選配在線膜厚檢測系統(tǒng)，以及選配離子源清洗及輔助沉積裝置。具有成膜均勻、放氣量小和溫度均勻的優(yōu)點。除了常規(guī)低熔點金屬的蒸鍍以外，TEMD500還可以蒸鍍難熔金屬和非金屬氧化物及合金等材料，可應用于制備光電薄膜，半導體器件薄膜、鐵電薄膜等。
該系列設(shè)備廣泛應用于高校、科研院所的教學、科研實驗以及生產(chǎn)型企業(yè)前期探索性實驗及開發(fā)新產(chǎn)品等，深受廣大用戶好評。
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