磁控濺射鍍膜設備的工作原理應從一開始"濺射現(xiàn)象"說起，人們從發(fā)現(xiàn)開始"濺射現(xiàn)象"發(fā)展至"濺射鍍膜"經(jīng)過長時間的發(fā)展，早在20世紀50年代的法拉第氣體放電實驗中就發(fā)現(xiàn)了濺射現(xiàn)象。但當時只把這種現(xiàn)象作為一種避免范圍的研究，認為這種現(xiàn)象是有害的。
直到20世紀，才有人證明沉積金屬是陰極被正離子轟擊濺出的物質(zhì).20世紀60年代濺射制成的鉭膜出現(xiàn).到1965年，同軸圓柱磁控濺射裝置和三級濺射裝置出現(xiàn)。20世紀70年代，開發(fā)了平面磁控濺射鍍膜設備，實現(xiàn)了高速低溫濺射涂料，使濺射涂料每天進展迅速。
磁控濺射鍍膜設備的磁控濺射靶采用靜態(tài)電磁場，磁場為曲線型，同軸圓柱形靶采用對數(shù)電場；平面靶采用均勻電場；S-槍靶位于兩者之間，各部分原理相同。
受電場影響，電子加速飛向基材，在此過程中與氬原子發(fā)生碰撞，如果電子本身足夠3000，eV如果是能量，則電離Ar?同時產(chǎn)生電子，電子仍飛向基材，Ar?受電場影響，它會移動到陰極（即濺射靶），同時用高能量轟擊靶表面，即濺射靶材。
在這些濺射粒子中，中性靶分子或原子沉積在基板上形成薄膜；當二次電子加速飛向基板時，在磁場的洛倫茲力的影響下，在靶表面進行了一系列圓周運動，該電子不僅運動路徑長，而且被電磁場理論束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi).在這一區(qū)域內(nèi)，大量電離出Ar?對靶材進行轟擊，因此磁控濺射鍍膜設備沉積率高.
隨著碰撞頻率的增加，電子能量會逐漸減弱，電子能量會逐漸遠離靶面，低能電子會沿著磁力線來回振蕩，直到電子能量快速耗盡，沉積在基材上，受電場影響。
由于電子能量較弱，傳遞給基材的能量較低，基材的溫升效果不大，位于磁極軸上的電場與磁場平行，第二類電子將直接飛向基板.但在磁控濺射涂層設備中，磁極軸的離子電流密度較低，因此包括電子數(shù)據(jù)在內(nèi)的第二類很少，使得基板溫升效果較差.
磁控濺射鍍膜設備的基本原理是通過磁場改變電子運動的方向，通過延長電子運動路徑和區(qū)域范圍，增加電子電離概率，更好地利用電子能量，這是磁控濺射技術"高速"和"低溫"的特性機理。
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