磁控濺射鍍膜設(shè)備原理和作用：
原理是稀薄氣體在異常輝光放電發(fā)作的等離子體在電場的作用下，對陰極靶材表面中止轟擊，把靶材表面的分子、原子、離子及電子等濺射出來，被濺射出來的粒子帶有一定的動能，沿一定的方向射向基體表面，在基體表面構(gòu)成鍍層。
磁控濺射鍍膜設(shè)備的優(yōu)點是裝置復(fù)雜，但是直流二極濺射堆積速率低；爲(wèi)了堅持自持放電，不能在低氣壓（＜0.1Pa）下中止；不能濺射絕緣材料等缺陷限制了其運用。在直流二極濺射裝置中添加一個熱陰極和輔佐陽極，就構(gòu)成直流三極濺射。添加的熱陰極和輔佐陽極發(fā)作的熱電子增強了濺射氣體原子的電離，這樣使濺射即使在低氣壓下也能中止;另外，還可降低濺射電壓，使濺射在低氣壓，低電壓外形下中止;同時放電電流也增大，并可獨立控制，不受電壓影響。在熱陰極的前面添加一個電極（柵網(wǎng)狀），構(gòu)成四極濺射裝置，可使放電趨于堅決。但是這些裝置難以獲得濃度較高的等離子體區(qū)，堆積速度較低，因而未獲得普遍的工業(yè)運用。磁控濺射是由二極濺射基礎(chǔ)上展開而來，在靶材表面樹立與電場正交磁場，處置了二極濺射堆積速率低，等離子體離化率初等效果，成爲(wèi)目前鍍膜工業(yè)主要方法之一。
磁控濺射與其它鍍膜技術(shù)相比具有如下特點：可制備成靶的材料廣，幾乎一切金屬，合金和陶瓷材料都可以制成靶材；在適當(dāng)條件下多元靶材共濺射方式，可堆積配比精確恒定的合金；在濺射的放電氣氛中參與氧、氮或其它活性氣體，可堆積構(gòu)成靶材物質(zhì)與氣體分子的化合物薄膜；經(jīng)過精確地控制濺射鍍膜進程，容易獲得均勻的高精度的膜厚；經(jīng)過離子濺射靶材料物質(zhì)由固態(tài)直接轉(zhuǎn)變爲(wèi)等離子態(tài)，濺射靶的安裝不受限制，合適于大容積鍍膜室多靶布置設(shè)計；濺射鍍膜速度快，膜層致密，附著性好等特點，很合適于大批量，高效率工業(yè)消費。近年來磁控濺射技術(shù)展開很快，具有代表性的方法有射頻濺射、反響磁控濺射、非平衡磁控濺射、脈沖磁控濺射、高速濺射等。
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