電弧離子鍍膜設(shè)備的工藝原理是什么？
電弧離子鍍膜設(shè)備的技術(shù)原理是基于冷陰極真空電弧放電理論。通過對冷陰極真空電弧放電理論的分析，可以通過正離子電流機(jī)制電流機(jī)制與場電子發(fā)射機(jī)制之間的相互影響和制約來實現(xiàn)電力遷移。因此，這種放電活動中的陰極材料需要大量蒸發(fā)，活動產(chǎn)生的許多蒸汽分子會產(chǎn)生一些正離子，可以在陰極附近產(chǎn)生超強(qiáng)電場，從而促進(jìn)影響電子觸發(fā)的場電子發(fā)射機(jī)制，導(dǎo)致電子發(fā)射到真空環(huán)境。
設(shè)備放電活動電流密度的理論計算仍然存在一定的困難，因為目前不可能準(zhǔn)確地建立和解決陰極電弧輝點(diǎn)中的功率、能量和質(zhì)量之間的平衡關(guān)系。
因為它涉及到來自陰極電弧光點(diǎn)的離子。陰極電弧光點(diǎn)是位于極小空間，在高電流密度下發(fā)生高速變化的現(xiàn)象。這種機(jī)制尚不完全清楚，但可以理解以下解釋：
金屬離子被吸入陰極表面，可以產(chǎn)生空間電荷層。此時觸發(fā)的強(qiáng)電場會使陰極表面功能函數(shù)較小的微裂紋或晶界發(fā)射電子。
高分高電子密度點(diǎn)產(chǎn)生高密度電流，高密度電流產(chǎn)生焦耳熱，提高點(diǎn)溫度，發(fā)射熱電子。這種現(xiàn)象導(dǎo)致了電流的局部集中。
局部電流集中產(chǎn)生的焦耳熱會導(dǎo)致陰極材料產(chǎn)生大量的離子和電子發(fā)射，釋放熔化的陰極材料顆粒，留下放電痕跡。
大量離子中的一些離子將被吸回陰極材料表面，再次產(chǎn)生空間電荷層和強(qiáng)電場，新功能函數(shù)小的點(diǎn)將再次開始電子發(fā)射。
Products
研博產(chǎn)品中心
