磁控濺射鍍膜設(shè)備的基本原理是：異常光放電過程中產(chǎn)生的等離子體轟擊陰極靶面，濺射靶面分子、原子、離子、電子等物質(zhì)，并有一定的動能濺射，基體表面以一定方向輻射進入基體表面。
磁控濺射鍍膜設(shè)備：濺射涂層較早出現(xiàn)在簡單的直流二極濺射中，其優(yōu)點是設(shè)備簡單，但直流二極濺射沉積率低；為了保持自持放電，不能在低壓下進行（沒有。1Pa）；無濺射絕緣材料等缺陷限制其應(yīng)用。添加熱陰極和輔助陽極直流二極濺射器構(gòu)成直流三極濺射。加熱陰極和輔助陽極產(chǎn)生的熱電子加強了濺射氣體原子的離子化，使濺射在低壓下進行；降低濺射電壓，在低壓、低壓下進行；放電電流也增加，不受電壓影響，可單獨控制。在熱陰極前增加一個電極（網(wǎng)格），形成一個四極濺射裝置，使放電趨于穩(wěn)定。但該設(shè)備難以獲得高濃度等離子體區(qū)域，積累率低，因此在工業(yè)中沒有得到廣泛的應(yīng)用。
隨著二極性濺射技術(shù)的發(fā)展，解決了沉積速度低、等離子體離化率低解決了沉積速度低、等離子體離化率低的問題，已成為鍍膜行業(yè)的主要方法之一。與其他涂層技術(shù)相比，磁控濺射鍍膜設(shè)備具有以下特點：可制成廣泛的靶材，幾乎所有金屬，合金和陶瓷材料；在適當(dāng)?shù)臈l件下，多靶共濺射模式，可沉積精確恒定的合金，在濺射環(huán)境中添加氧、氮或其他活性氣體；一種可沉積成靶材料和氣態(tài)分子的復(fù)合膜，通過精確控制濺射涂層過程，易于獲得均勻、高精度的膜厚度，通過離子濺射靶材料直接轉(zhuǎn)化為等離子體，濺射靶安裝無限，適用于大容量涂層室內(nèi)多靶設(shè)計，濺射涂層速度快，膜層致密，附著力好，非常適合大規(guī)模生產(chǎn)，高效工業(yè)生產(chǎn)。近年來，濺射法發(fā)展非常快，典型的有RF濺射、反應(yīng)磁控濺射、脈沖磁控濺射、脈沖磁控濺射等。
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