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磁控濺射鍍膜設(shè)備
真空腔室：Ф220×H300mm，不銹鋼上開蓋結(jié)構(gòu)；
抽速：從大氣抽至6.0×10-3Pa≤15min；
漏率：設(shè)備升壓率≤0.8Pa/h；
可鍍膜尺寸：2英寸1片，散片若干；
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真空腔室：Ф220×H300mm，不銹鋼上開蓋結(jié)構(gòu)；
抽速：從大氣抽至6.0×10-3Pa≤15min；
漏率：設(shè)備升壓率≤0.8Pa/h；
可鍍膜尺寸：2英寸1片，散片若干；
特點/用途：
磁控濺射鍍膜設(shè)備體積小，真空獲得快，功能強大，使用成本低；PLC觸摸屏控制，操控方便該設(shè)備標(biāo)配1只平面靶，另預(yù)留1對蒸發(fā)電極接口，能夠濺射蒸發(fā)兩用（磁控濺射與蒸發(fā)鍍不能同時進行）；
磁控濺射鍍膜設(shè)備主要用來開發(fā)納米級導(dǎo)電膜、半導(dǎo)體膜、絕緣膜等，基片臺加負偏壓可實現(xiàn)基片反濺清洗功能;非常適合于大專院校的教學(xué)、科研之用。
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