真空鍍膜技術(shù)簡稱PVD，在真空條件下，采用物理方法，使材料源表面氣化成原子、分子或離子，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù)。真空鍍膜設(shè)備鍍膜技術(shù)主要分為蒸鍍、濺射和離子鍍?nèi)箢?。而蒸發(fā)鍍膜技術(shù)也分為三種，電阻蒸發(fā)，電子束蒸發(fā)，感應(yīng)加熱蒸發(fā)。三種蒸發(fā)鍍膜技術(shù)，各自有各自的特點，
盡管后來發(fā)展起來的濺射鍍和離子鍍在許多方面要比蒸鍍優(yōu)越，但真空蒸發(fā)技術(shù)仍有許多優(yōu)點，如設(shè)備與工藝相對比較簡單，即可鍍制非常純凈的膜層，又可制備具有特定結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的膜層等，仍然是當今非常重要的鍍膜技術(shù)。近年來，由于電子轟擊蒸發(fā)，高頻感應(yīng)蒸發(fā)及激光蒸發(fā)等技術(shù)在蒸發(fā)鍍膜技術(shù)中的廣泛應(yīng)用，使這一技術(shù)更趨完善。
近年來，該法的改進主要是在蒸發(fā)源上。為了抑制或避免薄膜原材料與蒸發(fā)加熱器發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，改用耐熱陶瓷坩堝，如 BN坩堝。為了蒸發(fā)低蒸氣壓物質(zhì)，采用電子束加熱源或激光加熱源。為了制造成分復(fù)雜或多層復(fù)合薄膜，發(fā)展了多源共蒸發(fā)或順序蒸發(fā)法。為了制備化合物薄膜或抑制薄膜成分對原材料的偏離，出現(xiàn)了反應(yīng)蒸發(fā)法等。
二、熱蒸鍍工作原理：
真空蒸發(fā)鍍膜包括以下三個基本過程∶
將膜材置于真空鍍膜室內(nèi)，通過蒸發(fā)源加熱使其蒸發(fā)，當蒸發(fā)分子的平均自由程大于真空鍍膜室的線性尺寸時，蒸汽的原子和分子從蒸發(fā)源表面逸出后，在飛向基片表面過程中很少受到其他粒子（主要是殘余氣體分子）的碰撞阻礙，可直接到達被鍍的基片表面，由于基片溫度較低，便凝結(jié)其上而成膜，為了提高蒸發(fā)分子與基片的附著力，對基片進行適當?shù)募訜崾潜匾摹槭拐舭l(fā)鍍膜順利進行，應(yīng)具備蒸發(fā)過程中的真空條件和制膜過程中的蒸發(fā)條件。
蒸發(fā)過程中的真空條件：真空鍍膜室內(nèi)蒸汽分子的平均自由程大于蒸發(fā)源與基片的距離（稱做蒸距）時，就會獲得充分的真空條件。為此，增加殘余氣體的平均自由程，借以減少蒸汽分子與殘余氣體分子的碰撞概率，把真空鍍膜室抽成高真空是非常必要的。否則，蒸發(fā)物原子或分子將與大量空氣分子碰撞，使膜層受到嚴重污染，甚至形成氧化物；或者蒸發(fā)源被加熱氧化燒毀；或者由于空氣分子的碰撞阻擋，難以形成均勻連續(xù)的薄膜。
三、真空蒸鍍特點:
優(yōu)點：設(shè)備比較簡單 、操作容易；制成的薄膜純度高、質(zhì)量好，厚度可較準確控制；成膜速率快，效率高；薄膜的生長機理比較簡單；
缺點：不容易獲得結(jié)晶結(jié)構(gòu)的薄膜；所形成的薄膜在基板上的附著力較?。还に囍貜?fù)性不夠好等。
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