一、電弧離子鍍膜機中直流偏壓不足，電弧離子離化率高達60%~90%具有沉積速度快、膜基結(jié)合力強、電鍍性能好、反應(yīng)沉積方便、氮化鈦等化合物涂層優(yōu)點TiN硬膜不可替代的涂層工藝，傳統(tǒng)的電弧離子鍍膜機始終以直流偏壓為基礎(chǔ)。
1、沉積溫度(400~500℃相對較高),在低回火溫度和低熔點的基材上，涂層受到限制。
2、膜內(nèi)應(yīng)力較大，厚膜沉積困難。
3、大型金屬熔滴從陰極電弧源噴射，使膜組織粗化。
4、直流偏置電源電弧速度慢，防止電弧功能差，容易燒傷工作面。
5、電弧離子電鍍中脈沖偏置壓力的出現(xiàn)，為進一步降低沉積溫度，克服其他不足，傳統(tǒng)的電弧離子鍍直流偏置壓力改為脈沖偏置壓力，產(chǎn)生脈沖偏置電弧離子鍍，在理想狀態(tài)下，偏壓與時間的關(guān)系是典型的。
電弧離子鍍膜機中脈沖電源主電路的所有開關(guān)設(shè)備均已使用IGBT。
目前，我國脈沖偏壓電源的設(shè)計和制造水平基本能滿足電弧離子電鍍的科學(xué)研究和生產(chǎn)需要。典型電源參數(shù)為：5頻~80kHz，脈沖偏壓幅值為0~-1500V可疊加直流偏壓0~-300V，占空比5%~85%，功率為5~30kW。此外，應(yīng)用了非對稱雙極脈沖偏壓電源。
使用脈沖偏壓電源時，電壓中斷間隙，供電在脈沖周期中斷，通電時間占脈沖周期的比例稱為占空比，用d表示，一般用于儀器"%"表示。在脈沖周期中，利用空間比調(diào)整間歇供電時間。
通常在用800~1000V高偏壓進行"主弧轟擊"占空比調(diào)整到20%左右。
沉積氮化鈦等化合物涂層時，將空比調(diào)整到80%左右。
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