磁控濺射鍍膜設備的工作原理是什么？
磁控濺射鍍膜設備的工作原理應從開始的濺射現(xiàn)象開始。人們從開始發(fā)現(xiàn)的濺射現(xiàn)象發(fā)展到濺射涂層。早在20世紀50年代的法拉第氣體放電實驗中就發(fā)現(xiàn)了濺射現(xiàn)象。然而，當時只把這種現(xiàn)象作為避免研究，認為這種現(xiàn)象是有害的。
直到20世紀，才有人證明沉積金屬是陰極被正離子轟擊飛濺的物質。20世紀60年代飛濺制成的鉭膜出現(xiàn)了。1965年，同軸圓柱形磁控飛濺裝置和三級飛濺裝置出現(xiàn)。20世紀70年代，平面磁控飛濺涂層設備開發(fā)，實現(xiàn)高速低溫飛濺涂層，飛濺涂層日益快速發(fā)展。
磁控濺射鍍膜設備的磁控濺射靶采用靜態(tài)電磁場，磁場為曲線型，同軸圓柱形靶采用對數(shù)電場；平面目標采用均勻電場；S-射擊目標位于兩者之間。各部分的原理相同。
受電場影響，電子加速飛向基材，在此過程中與氬原子發(fā)生碰撞。如果電子本身有足夠的30ev能量，它將同時離開Ar并產(chǎn)生電子。電子仍然飛向基材，Ar將移動到陰極（即濺射靶），并使用高能轟擊靶表面，即濺射靶。
在這些濺射顆粒中，中性靶分子或原子沉積在基板上形成膜；當二次電子加速飛向基板時，在磁場洛倫茲力的影響下，在靶表面進行一系列圓形運動，呈現(xiàn)螺旋線和擺線的復合形式。該電子不僅運動路徑長，而且被電磁場理論束縛在靶表面附近的等離子體區(qū)域。在這一領域，大量的AR電離轟擊目標，因此磁控濺射鍍膜設備的沉積率較高。
隨著碰撞頻率的增加，電子能量會逐漸減弱，電子能量會逐漸遠離目標。低能電子會沿著磁線來回振蕩，直到電子能量幾乎耗盡，沉積在基材上。
由于電子能量較弱，傳遞給基材的能量較低，基材的溫升效果較小。磁極軸處的電場與磁場平行，第二類電子直接飛向基板。但在磁控濺射涂層設備中，磁極軸處的離子電流密度較低，包括電子數(shù)據(jù)在內的第二類電子數(shù)據(jù)較少，基板的溫升效果較差。
磁控濺射鍍膜設備的基本原理是通過磁場改變電子運動的方向，通過延長電子運動路徑和區(qū)域限制，提高電子電離概率，更好地有效利用電子能量。這是磁控濺射技術的高速和低溫特性機制。該設備始于1974年J.chapin的研發(fā)成果。當時，磁控濺射鍍膜設備一經(jīng)開發(fā)，優(yōu)于其他涂層工藝，應用廣泛，可在任何基材上涂覆任何材料的膜層。
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